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論文

In-situ EELS and TEM observation of Al implanted with nitrogen ions

北條 喜一; 古野 茂実; 塚本 哲生*; 櫛田 浩平; 大津 仁; 出井 数彦*

Microsc. Microanal. Microstruct., 6, p.141 - 147, 1995/02

https://doi.org/10.1051/mmm:1995114
 被引用回数：2 パーセンタイル：23.42(Microscopy)

室温でのチッ素イオン照射にともなう窒化アルミニウム(AlN)の生成過程を透過型電顕(TEM)と透過電子エネルギー損失分光法(EELS)により、その場観察及び同一場所でのEELS測定を行った。アルミニウム膜は真空蒸着法(約1000$AA$厚)をもちいて作製した。又、イオン照射は電顕付設のイオン照射装置を用いて行った。照射条件はN$$_{2+}$$、30kV、イオン束2$$times$$10$$^{18}$$(N$$^{+}$$)/m$$^{2}$$・S、室温で行った。その結果、AlN薄膜はWurtzit型HCP構造をしていることがわかった。さらに、Nの内殻スペクトルは約400eV(低照射)から396.4eV(高照射)に変化することを明らかにした。

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